Pellicle是半邊體製程中不可或缺的材料，主要用於保護光罩(Reticle)表面，避免灰塵和污染物影響光刻圖形的準確性。它有助於維持高解析度，減少光罩損傷，並確保晶片生產的品質。
Pellcle的優勢：
♦光罩保護—防止灰塵與污染物，確保光刻圖形的精確度。
♦提高良率—減少污染風險，提升生產良率與穩定性。
♦高解析度—維持製程穩定，確保圖形清晰。
♦適用多種光源—適用於不同波長的光源曝光製程，確保製程可靠。
適用於各種光源曝光製程：
►I/G-line(365-436nm)：適用於標準光刻製程，提供有效保護。
►KrF(248nm)：確保高解析度光刻製程的準確性。
►ArF(193nm)：適用於深紫外光製程，保護光罩。
Pellcle的優勢：
♦光罩保護—防止灰塵與污染物，確保光刻圖形的精確度。
♦提高良率—減少污染風險，提升生產良率與穩定性。
♦高解析度—維持製程穩定，確保圖形清晰。
♦適用多種光源—適用於不同波長的光源曝光製程，確保製程可靠。
適用於各種光源曝光製程：
►I/G-line(365-436nm)：適用於標準光刻製程，提供有效保護。
►KrF(248nm)：確保高解析度光刻製程的準確性。
►ArF(193nm)：適用於深紫外光製程，保護光罩。
※ EUV Pellicle Frame 框架